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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
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Onsemi DTC114EM3T SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, SOT-723 3-Pin

About The : 600 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.25 x 0

onsemi DTC114EM3T SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-723 3-Pin, Eingangswiderstand typ.: 10 kΩ, Gleichstromverstärkung min.: 35, Verlustleistung max.: 600 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: 0,25 V, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Abmessungen: 1.25 x 0.85 x 0.55mm, MPN: DTC114EM3T5G

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Specifications of Onsemi DTC114EM3T SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 MA, SOT-723 3-Pin

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Rating :- 9.54 /10
Votes :- 9
Microchip 12-Bit + Vorzeichen ADC MCP3301-CI/P, 100ksps PDIP, 8-Pin
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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  • Datenwandler
  • A,D-Wandler
  • Microchip
    • Siemens SENTRON 3VA1, Leistungsschalter MCCB 3-polig, 250A / Abschaltvermögen 70 kA 690V 500V, L.

    Siemens SENTRON 3VA1, Leistungsschalter MCCB 3-polig, 250A / Abschaltvermögen 70 kA 690V 500V, L.

    105mm, Breite: 70mm, Tiefe: 158mm, Auslösecharakteristik: Typ H, MPN: 3VA1225-6EF32-0AA0 Siemens SENTRON 3VA1, Leistungsschalter MCCB 3-polig, 250A / Abschaltvermögen 70 kA 690V 500V, L. 105mm.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Sicherungen und Leitungsschutzschalter
  • Schutzschalter
  • Leistungsschalter
  • Siemens
    • Siemens SENTRON 3VA2, Leistungsschalter MCCB 3-polig, 100A / Abschaltvermögen 85 kA 690V, L.

    Siemens SENTRON 3VA2, Leistungsschalter MCCB 3-polig, 100A / Abschaltvermögen 85 kA 690V, L.

    105mm.105mm, Breite: 86mm, Tiefe: 181mm, Auslösecharakteristik: Typ H, MPN: 3VA2010-6HL32-0AA0 Siemens SENTRON 3VA2, Leistungsschalter MCCB 3-polig, 100A / Abschaltvermögen 85 kA 690V, L.

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    • onsemi DTC114YM3T SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-723 3-Pin

    onsemi DTC114YM3T SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-723 3-Pin

    25 x 0.85 x 0.: 297 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.

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    • Microchip Operationsverstärker SMD SOIC, einzeln typ.
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  • Operationsverstärker
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    • Yageo RC Dickschicht SMD-Widerstand 15Ω ±1% / 0.5 W, 0.25 W, 1206 (3216M) Gehäuse

    Yageo RC Dickschicht SMD-Widerstand 15Ω ±1% / 0.5 W, 0.25 W, 1206 (3216M) Gehäuse

    25 W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: RC1206FR-0715RL.5 W, 0.

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    : 600 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.25 x 0.: 6 V, Abmessungen: 1.55mm, MPN: DTC114EM3T5G.

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    Yageo RC Dickschicht SMD-Widerstand 15Ω ±1% / 0.5 W, 0.25 W, 1206 (3216M) Gehäuse

    Yageo RC Dickschicht SMD-Widerstand 15Ω ±1% / 0.25 W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: RC1206FR-0715RL.5 W, 0.

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