Infineon 650V CoolMOS™ CE IPA65R400CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 15,1 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,4 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon 650V CoolMOS™ CE IPA65R400CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 15,1 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon 650V CoolMOS™ CE IPA65R400CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 15,1 A, 3-Pin TO-220 FP | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |