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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Nexperia PSMN8R7-80PS,127 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 90 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

About The : 2.: 4V, Gate-Schwellenspannung min

Nexperia PSMN8R7-80PS,127 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 90 A 170 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 16mm

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Nexperia PSMN8R7-80PS,127 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 90 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Nexperia PSMN8R7-80PS,127 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 90 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

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Sensata / Airpax IEG1 Thermischer Überlastschalter / Thermischer Geräteschutzschalter, 1-polig, Airpax, 15A

Sensata / Airpax IEG1 Thermischer Überlastschalter / Thermischer Geräteschutzschalter, 1-polig, Airpax, 15A

Sensata / Airpax IEG1 Thermischer Überlastschalter / Thermischer Geräteschutzschalter, 1-polig, Airpax, 15A, Breite: 19.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Sicherungen und Leitungsschutzschalter
  • Schutzschalter
  • Thermische Schutzschalter
  • Sensata / Airpax
    • Murata Power Solutions Murata 1900R Drosselspule, 15 mH, ±10%, 190mA, Radial / R-DC 12Ω, Ø 12mm x 21mm

    Murata Power Solutions Murata 1900R Drosselspule, 15 mH, ±10%, 190mA, Radial / R-DC 12Ω, Ø 12mm x 21mm

    : +95°C, Betriebstemperatur min.8mm, Betriebstemperatur max.) x 21mm, Anschlussraster: 6mm, Anschlussdurchmesser: 0.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • Induktivitäten bedrahtet
  • Murata Power Solutions
    • Schneider Electric GV3 Thermischer Überlastschalter / Thermischer Geräteschutzschalter, 3-polig, TeSys, 50A, 690V 132 x

    Schneider Electric GV3 Thermischer Überlastschalter / Thermischer Geräteschutzschalter, 3-polig, TeSys, 50A, 690V 132 x

    Schneider Electric GV3 Thermischer Überlastschalter / Thermischer Geräteschutzschalter, 3-polig, TeSys, 50A, 690V 132 x, Breite: 55mm, Anwendung: Motoren, Auslösemechanismus: Thermomagnetisch, Better World-Produkt: Ja, Montageart: DIN-Schienen-Montage, Better World-Verifizierung: Green Premium, Ausschaltvermögen: 5 kA, Überlastschaltertyp: Thermisch-magnetischer Schutzschalter, Gesamttiefe: 136mm, MPN: GV3P50.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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  • Schneider Electric
    • TE Connectivity AMP CT Steckverbindergehäuse Buchse 2mm, 7-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für

    TE Connectivity AMP CT Steckverbindergehäuse Buchse 2mm, 7-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für

    TE Connectivity AMP CT Steckverbindergehäuse Buchse 2mm, 7-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für, Zur Verwendung mit: Kabel-Platinen-Verbinder, Länge: 16mm, Breite: 4.6mm, Gehäusematerial: Polyamid, MPN: 173977-7.

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    • TE Connectivity AMP CT Steckverbindergehäuse Buchse 2mm, 7-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für

    TE Connectivity AMP CT Steckverbindergehäuse Buchse 2mm, 7-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für

    TE Connectivity AMP CT Steckverbindergehäuse Buchse 2mm, 7-polig / 1-reihig Gerade, Kabelmontage für, Gender: Female, Zur Verwendung mit: Kabel-Platinen-Verbinder, Länge: 16mm, Breite: 4.6mm, Gehäusematerial: Polyamid, MPN: 173977-7.

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    • Microchip Entwicklungstool HMI Hillstar GestIC Development Kit MGC3130

    Microchip Entwicklungstool HMI Hillstar GestIC Development Kit MGC3130

    Microchip Entwicklungstool HMI Hillstar GestIC Development Kit MGC3130, MPN: DM160218.

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    Nexperia PSMN8R7-80PS,127 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 90 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

    3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.Nexperia PSMN8R7-80PS,127 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 90 A 170 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.

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    • ROHM SiC MOSFET Evaluierungsplatine, 4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board SiC MOSFET

    ROHM SiC MOSFET Evaluierungsplatine, 4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board SiC MOSFET

    ROHM SiC MOSFET Evaluierungsplatine, 4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board SiC MOSFET, Zum Einsatz mit: Motorantriebe, MPN: P04SCT4018KE-EVK-001.

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    Nexperia PSMN8R7-80PS,127 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 90 A 170 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: -20 V, +20 V, Höhe: 16mm.: 14 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.

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    ROHM SiC MOSFET Evaluierungsplatine, 4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board SiC MOSFET

    ROHM SiC MOSFET Evaluierungsplatine, 4th Generation SiC MOSFET Half Bridge Evaluation Board SiC MOSFET, Zum Einsatz mit: Motorantriebe, MPN: P04SCT4018KE-EVK-001.

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