onsemi SiC Power NTH4L045N065SC1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 55 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,05 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.3V
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Onsemi SiC Power NTH4L045N065SC1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 55 A, 4-Pin TO-247-4
Specifications of Onsemi SiC Power NTH4L045N065SC1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 55 A, 4-Pin TO-247-4 | |
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