onsemi QFET FQA24N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A 310 W, 3-Pin TO-3PN, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 240 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 18.9mm, Länge: 15.8mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi QFET FQA24N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A 310 W, 3-Pin TO-3PN
Specifications of Onsemi QFET FQA24N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A 310 W, 3-Pin TO-3PN | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |