STMicroelectronics STP50N60DM6 STP50N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 36 A, 8-Pin To-LL-HV, Drain-Source-Widerstand max.: 80 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si
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STMicroelectronics STP50N60DM6 STP50N60DM6 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 36 A, 8-Pin To-LL-HV
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