OSI Optoelectronics Fotodiode IR 800nm Si, THT TO-52-Gehäuse 3-Pin, Verstärkerfunktion: Nein, Wellenlänge min.: 600nm, Höhe über Panel: 3.25mm, Durchmesser: 5.4mm, Spitzenphotosensibilität: 50A/W, Polarität: Umgekehrt, MPN: APD10-8-150-T52
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OSI Optoelectronics Fotodiode IR 800nm Si, THT TO-52-Gehäuse 3-Pin
Specifications of OSI Optoelectronics Fotodiode IR 800nm Si, THT TO-52-Gehäuse 3-Pin | |
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