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Infineon IQE065N10NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 85 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

About The Infineon IQE065N10NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 85 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

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Specifications of Infineon IQE065N10NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 85 A, 8-Pin PQFN 3 X 3

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    • Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±5% / 0.5 W, 0.25 W, 1206 (3216M) Gehäuse

    Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±5% / 0.5 W, 0.25 W, 1206 (3216M) Gehäuse

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    Yageo Dickschicht SMD-Widerstand 10Ω ±5% / 0.5 W, 0.25 W, 1206 (3216M) Gehäuse, MPN: RC1206JR-0710RL.

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    Vishay ESD-Schutzdiode Uni-Directional Array 48V 27.6V min., 6-Pin, SMD SOT-363

    , 6-Pin, SMD SOT-363, Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 100W, Anzahl der Elemente pro Chip: 5, MPN: VESD26A5-06G-G3-08.6V min.

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