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Infineon OptiMOS IPD15N06S2L64ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 19 A, 3-Pin TO-252

About The Infineon OptiMOS IPD15N06S2L64ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 19 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 2V, Transistor-Werkstoff: Si

Infineon OptiMOS IPD15N06S2L64ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 19 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,064 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Werkstoff: Si

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Infineon OptiMOS IPD15N06S2L64ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 19 A, 3-Pin TO-252

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Specifications of Infineon OptiMOS IPD15N06S2L64ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 19 A, 3-Pin TO-252

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Infineon OptiMOS IPD15N06S2L64ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 19 A, 3-Pin TO-252
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Electro PJP Prüfspitzen Rot 4mm, 1kV / 500mA
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  • Electro PJP
    • Electro PJP Prüfspitzen Gelb 3.4mm, 1kV / 16A

    Electro PJP Prüfspitzen Gelb 3.4mm, 1kV / 16A

    4mm, 1kV / 16A, Tastkopf Typ: Nadelspitzen-Tastkopf, Prüfspitzentyp: Schmal, MPN: 402-IEC-CatIV-J.

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    • Infineon OptiMOS-T2 IPG16N10S461AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual

    Infineon OptiMOS-T2 IPG16N10S461AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual

    Infineon OptiMOS-T2 IPG16N10S461AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 16 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual.

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    • Vishay SMD Schottky Diode, 45V / 30A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Vishay SMD Schottky Diode, 45V / 30A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Vishay SMD Schottky Diode, 45V / 30A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Schottky-Diode, Maximaler Spannungsabfall: 700mV, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 200A, MPN: VBT3045BP-E3/4W.

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    • Texas Instruments DC/DC-Wandler Inverting, Step Down 1-Kanal, 500mA SOIC 14-Pin Fest

    Texas Instruments DC/DC-Wandler Inverting, Step Down 1-Kanal, 500mA SOIC 14-Pin Fest

    : 4 V, Eingangsspannung max.: 5 V, Ausgangsspannung max.

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    • Vishay E Series SIHB30N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Vishay E Series SIHB30N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    Vishay E Series SIHB30N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.

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    • Infineon OptiMOS-T IPD50N12S3L15ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin TO-252

    Infineon OptiMOS-T IPD50N12S3L15ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin TO-252

    Infineon OptiMOS-T IPD50N12S3L15ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 50 A, 3-Pin TO-252.

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    Infineon OptiMOS IPD15N06S2L64ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 19 A, 3-Pin TO-252

    : 0,064 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon OptiMOS IPD15N06S2L64ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 19 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.

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    Infineon OptiMOS IPD15N06S2L64ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 19 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.: 0,064 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Werkstoff: Si.

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