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Toshiba TJ60S04M3L P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The 5mm, Betriebstemperatur max.Toshiba TJ60S04M3L P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max

Toshiba TJ60S04M3L P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 9,4 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +10 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Specifications of Toshiba TJ60S04M3L P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 60 A 90 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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