Infineon CoolMOS IPP410N30NAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 44 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,041 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Infineon CoolMOS IPP410N30NAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 44 A, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon CoolMOS IPP410N30NAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 44 A, 3-Pin TO-220 | |
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