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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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DiodesZetex

DiodesZetex ZVN3306A N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 MA 625 MW, 3-Pin E-Line

About The : +150 °C.: 5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

DiodesZetex ZVN3306A N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 mA 625 mW, 3-Pin E-Line, Drain-Source-Widerstand max.: 5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 4.77mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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DiodesZetex ZVN3306A N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 MA 625 MW, 3-Pin E-Line

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Specifications of DiodesZetex ZVN3306A N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 MA 625 MW, 3-Pin E-Line

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DiodesZetex ZVN3306A N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 MA 625 MW, 3-Pin E-Line
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Infineon Bluetooth Modul Klasse 2, 5, 4dBm -92dBm I2C, I2S, SPI, UART

Infineon Bluetooth Modul Klasse 2, 5, 4dBm -92dBm I2C, I2S, SPI, UART

Infineon Bluetooth Modul Klasse 2, 5, 4dBm -92dBm I2C, I2S, SPI, UART, MPN: SP005673429.

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    • Igus Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 30mm / Außen-Ø 72mm, Breite 19mm Offene Bauweise

    Igus Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 30mm / Außen-Ø 72mm, Breite 19mm Offene Bauweise

    Igus Einreihiges Rillenkugellager Kugellager 1-reihig, Innen-Ø 30mm / Außen-Ø 72mm, Breite 19mm Offene Bauweise, MPN: BB-6306-B180-30-GL.

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    • Mitsubishi WiFi-Antenne

    Mitsubishi WiFi-Antenne

    Mitsubishi WiFi-Antenne, Physische Form Antenne: Stabantenne, Montageart: Direkt, MPN: MAM-232ADP/BROWN.

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    • Eaton Moeller Bedienkopf zur Verwendung mit Positionsschalter LS-Titan

    Eaton Moeller Bedienkopf zur Verwendung mit Positionsschalter LS-Titan

    Eaton Moeller Bedienkopf zur Verwendung mit Positionsschalter LS-Titan, MPN: 10855222.

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    • RS PRO Steckernetzteil AC/DC-Adapter 15W, 100V ac, 7.5V dc / 2A, UK-Netzstecker

    RS PRO Steckernetzteil AC/DC-Adapter 15W, 100V ac, 7.5V dc / 2A, UK-Netzstecker

    45%, Betriebsdauer: 50000h, Erfüllte Normen: CE, CE(EN55022), T-LICENSE(BS EN60950-1), Tiefe: 77mm.RS PRO Steckernetzteil AC/DC-Adapter 15W, 100V ac, 7.5V dc, Eingangsspannung: 100 V ac, 110 V ac, 115 V ac, 120 V ac, 127 V ac, 220 V ac, 230 V ac, 240V ac, Temperatur max.

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    • DiodesZetex ZVN3306FTA N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23

    DiodesZetex ZVN3306FTA N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23

    : 2.05mm, Betriebstemperatur max.DiodesZetex ZVN3306FTA N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 mA 330 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.

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    DiodesZetex ZVN3306A N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 mA 625 mW, 3-Pin E-Line

    DiodesZetex ZVN3306A N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 mA 625 mW, 3-Pin E-Line, Drain-Source-Widerstand max.: 2.

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    • Bourns SRP1265A SMD Induktivität, 220 nH 53A AEC-Q200 mit Carbonylpulver-Kern, 1265 Gehäuse 13.5mm / ±20%, 130MHz

    Bourns SRP1265A SMD Induktivität, 220 nH 53A AEC-Q200 mit Carbonylpulver-Kern, 1265 Gehäuse 13.5mm / ±20%, 130MHz

    : 600µΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: SRP1265A-R22M.5 x 6.

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    • DiodesZetex ZVN3306A N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 mA 625 mW, 3-Pin E-Line

    DiodesZetex ZVN3306A N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 mA 625 mW, 3-Pin E-Line

    DiodesZetex ZVN3306A N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 270 mA 625 mW, 3-Pin E-Line, Drain-Source-Widerstand max.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • Bourns SRP1265A SMD Induktivität, 220 nH 53A AEC-Q200 mit Carbonylpulver-Kern, 1265 Gehäuse 13.5mm / ±20%, 130MHz

    Bourns SRP1265A SMD Induktivität, 220 nH 53A AEC-Q200 mit Carbonylpulver-Kern, 1265 Gehäuse 13.5mm / ±20%, 130MHz

    2mm, Abmessungen: 13.Bourns SRP1265A SMD Induktivität, 220 nH 53A AEC-Q200 mit Carbonylpulver-Kern, 1265 Gehäuse 13.

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