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Infineon OptiMOS 3 BSZ097N04LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A 35 W, 8-Pin TSDSON

About The 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.1mm

Infineon OptiMOS 3 BSZ097N04LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A 35 W, 8-Pin TSDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 14,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.1mm

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Infineon OptiMOS 3 BSZ097N04LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A 35 W, 8-Pin TSDSON

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Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSZ097N04LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A 35 W, 8-Pin TSDSON

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Infineon OptiMOS 3 BSZ097N04LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 40 A 35 W, 8-Pin TSDSON
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