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Toshiba TK TK12E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-220

About The Toshiba TK TK12E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.16mm, Betriebstemperatur max

Toshiba TK TK12E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 300 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.16mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Toshiba TK TK12E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of Toshiba TK TK12E60W,S1VX(S N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-220

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