Nexperia BC807DS,115 SMD, PNP Transistor Dual –45 V / –500 MA, TSOP 6-Pin
About The : +150 °C.: –5 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Abmessungen: 3
Nexperia BC807DS,115 SMD, PNP Transistor Dual –45 V / –500 mA, TSOP 6-Pin, Verlustleistung max.: 370 mW, Gleichstromverstärkung min.: 160, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Kollektor-Basis-Spannung max.: –50 V, Basis-Emitter Spannung max.: –5 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Abmessungen: 3.1 x 1.7 x 1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Nexperia BC807DS,115 SMD, PNP Transistor Dual –45 V / –500 MA, TSOP 6-Pin
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Specifications of Nexperia BC807DS,115 SMD, PNP Transistor Dual –45 V / –500 MA, TSOP 6-Pin | |
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