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Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

About The : 0,004 Ω, Gate-Schwellenspannung max.Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max

Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,004 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V

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Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Specifications of Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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