Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,004 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V
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Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
Specifications of Vishay N-Channel 80 V SIR5802DP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 137,5 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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