Infineon OptiMOS 3 BSC077N12NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 98 A 139 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 7,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 5.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Infineon OptiMOS 3 BSC077N12NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 98 A 139 W, 8-Pin TDSON
Specifications of Infineon OptiMOS 3 BSC077N12NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 98 A 139 W, 8-Pin TDSON | |
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