STMicroelectronics ST STW70N60DM6-4 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 600 V / 62 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 0,036 Ω, Channel-Modus: Depletion, Gate-Schwellenspannung max.: 4.75V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: SiC
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STMicroelectronics ST STW70N60DM6-4 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 600 V / 62 A, 4-Pin TO-247-4
Specifications of STMicroelectronics ST STW70N60DM6-4 N-Kanal, THT MOSFET-Modul 600 V / 62 A, 4-Pin TO-247-4 | |
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