reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 0,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD25N06S4L30ATMA2

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
More Varieties

Rating :- 9.56 /10
Votes :- 9