Infineon HEXFET AUIRFS4115-7TRL N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK-7
About The Infineon HEXFET AUIRFS4115-7TRL N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si
Infineon HEXFET AUIRFS4115-7TRL N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0118 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET AUIRFS4115-7TRL N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK-7
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Specifications of Infineon HEXFET AUIRFS4115-7TRL N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 105 A, 7-Pin D2PAK-7 | |
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