Infineon OptiMOS BSB104N08NP3GXUSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 50 A, 7-Pin MG-WDSON-2, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0104 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS BSB104N08NP3GXUSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 50 A, 7-Pin MG-WDSON-2
Specifications of Infineon OptiMOS BSB104N08NP3GXUSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 50 A, 7-Pin MG-WDSON-2 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |