Infineon OptiMOS-T2 IPI80N06S4L07AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A, 3-Pin I2PAK (TO-262), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0067 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si
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Infineon OptiMOS-T2 IPI80N06S4L07AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A, 3-Pin I2PAK (TO-262)
Specifications of Infineon OptiMOS-T2 IPI80N06S4L07AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 80 A, 3-Pin I2PAK (TO-262) | |
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