Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,45 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPAN80R450P7XKSA1
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Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A, 3-Pin TO-220 FP
Specifications of Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 11 A, 3-Pin TO-220 FP | |
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