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Infineon OptiMOS-T2 IPB45N06S4L08ATMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The Infineon OptiMOS-T2 IPB45N06S4L08ATMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Infineon OptiMOS-T2 IPB45N06S4L08ATMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Infineon OptiMOS-T2 IPB45N06S4L08ATMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 45 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Alpha Wire Einzeladerleitung 0,616 mm², 20 AWG 300m Braun PFA isoliert Ø 0.97mm 19/0,20 mm Litzen UL11905

Alpha Wire Einzeladerleitung 0,616 mm², 20 AWG 300m Braun PFA isoliert Ø 0.97mm 19/0,20 mm Litzen UL11905

97mm 19/0,20 mm Litzen UL11905, Betriebsspannung: 600 V, Serie: 2620, Schaltdraht-Typ: Für hohe Temperaturen, MPN: 2620 BR001.

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    Alpha Wire Einzeladerleitung 0,616 mm², 20 AWG 300m Schwarz PFA isoliert Ø 0.97mm 19/0,20 mm Litzen UL11905

    97mm 19/0,20 mm Litzen UL11905, Betriebsspannung: 600 V, Serie: 2620, Schaltdraht-Typ: Für hohe Temperaturen, MPN: 2620 BK001.

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    Infineon OptiMOS IPD14N06S280ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 17 A, 3-Pin TO-252

    Infineon OptiMOS IPD14N06S280ATMA2 N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 17 A, 3-Pin TO-252.

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    Infineon OptiMOS 3 IPD082N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A, 3-Pin TO-252

    : 0,0082 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.5V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon OptiMOS 3 IPD082N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 80 A, 3-Pin TO-252, Drain-Source-Widerstand max.

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    Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 6-polig / 2-reihig, Raster 4.

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    Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 4-polig / 2-reihig, Raster 4.2mm, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Zinn, Nennstrom: 8A, MPN: 39-29-9043 Molex Mini-Fit Jr.

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