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Infineon HEXFET IRFB3077PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 210 A 370 W, 3-Pin TO-220AB

About The 02mm.Infineon HEXFET IRFB3077PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 210 A 370 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET IRFB3077PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 210 A 370 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 9.02mm

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Infineon HEXFET IRFB3077PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 210 A 370 W, 3-Pin TO-220AB

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Specifications of Infineon HEXFET IRFB3077PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 210 A 370 W, 3-Pin TO-220AB

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