IXYS HiperFET, Polar IXFH120N20P N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 120 A 714 W, 3-Pin TO-247
About The IXYS HiperFET, Polar IXFH120N20P N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 120 A 714 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: +175 °C
IXYS HiperFET, Polar IXFH120N20P N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 120 A 714 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 22 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Polar IXFH120N20P N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 120 A 714 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of IXYS HiperFET, Polar IXFH120N20P N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 120 A 714 W, 3-Pin TO-247 | |
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