Toshiba 2SK 2SK3564,S5Q(J N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3 A 40 W, 3-Pin SC-67
About The : 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 4,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Toshiba 2SK 2SK3564,S5Q(J N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3 A 40 W, 3-Pin SC-67, Drain-Source-Widerstand max.: 4,3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Toshiba 2SK 2SK3564,S5Q(J N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3 A 40 W, 3-Pin SC-67
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Specifications of Toshiba 2SK 2SK3564,S5Q(J N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3 A 40 W, 3-Pin SC-67 | |
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