onsemi FDC6303N N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 680 mA 900 mW, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 450 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.65V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: +8 V, Höhe: 1mm, Länge: 3mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi FDC6303N N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 680 MA 900 MW, 6-Pin SOT-23
Specifications of Onsemi FDC6303N N-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 680 MA 900 MW, 6-Pin SOT-23 | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |