STMicroelectronics STripFET H7 STH310N10F7-6 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 315 W, 7-Pin H2PAK-6, Drain-Source-Widerstand max.: 2,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.25mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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STMicroelectronics STripFET H7 STH310N10F7-6 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 315 W, 7-Pin H2PAK-6
Specifications of STMicroelectronics STripFET H7 STH310N10F7-6 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 315 W, 7-Pin H2PAK-6 | |
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