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Infineon 600V CoolMOS™ CE IPS60R1K5CEAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)

About The .: 1,5 Ω, Gate-Schwellenspannung max

Infineon 600V CoolMOS™ CE IPS60R1K5CEAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL), Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si

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Infineon 600V CoolMOS™ CE IPS60R1K5CEAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)

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Specifications of Infineon 600V CoolMOS™ CE IPS60R1K5CEAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)

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Infineon 600V CoolMOS™ CE IPS60R1K5CEAKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 5 A, 3-Pin IPAK SL (TO-251 SL)
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Europa EUC MCB Leitungsschutzschalter Typ C, 1-polig 4A 230V, Abschaltvermögen 10 kA EUC1P DIN-Schienen-Montage

Europa EUC MCB Leitungsschutzschalter Typ C, 1-polig 4A 230V, Abschaltvermögen 10 kA EUC1P DIN-Schienen-Montage

Europa EUC MCB Leitungsschutzschalter Typ C, 1-polig 4A 230V, Abschaltvermögen 10 kA EUC1P DIN-Schienen-Montage, AC-Nennspannung: 230 V, 400V, Länge: 18mm, Breite: 78mm, Tiefe: 87mm, Modellnummer: EUC1P4C.

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    Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPP60R280CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A, 3-Pin TO-220

    : 0,28 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon 600V CoolMOS™ CFD7 IPP60R280CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 9 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.

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    • Seeed Studio Bluetooth-Chip Klasse 1, 4.2, 4dBm -89dBm

    Seeed Studio Bluetooth-Chip Klasse 1, 4.2, 4dBm -89dBm

    2mm, Länge: 16mm, Betriebstemperatur max.: –40 °C, Breite: 10mm, MPN: 317030213.2, 4dBm -89dBm, Abmessungen: 16 x 10 x 2.Seeed Studio Bluetooth-Chip Klasse 1, 4.

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    08mm, MPN: 231-342/001-000.Wago 231 Series Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 12-polig / 1-reihig, Raster 5.

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