Infineon IGBT / 50 A 20V Max., 650 V 282 W PG-TO247-3

Name: Infineon IGBT / 50 A 20V Max., 650 V 282 W PG-TO247-3! Infineon
Brand: Infineon
SKU: CAWX-87649
Price: 628.42 EUR
Availability: InStock

About The , 650 V 282 W PG-TO247-3, MPN: IKW50N65WR5XKSA1.Infineon IGBT / 50 A 20V max

Infineon IGBT / 50 A 20V max., 650 V 282 W PG-TO247-3, MPN: IKW50N65WR5XKSA1

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

HENSEL FK Polycarbonat Klemmenkasten Orange IP55, IP66, BxTxH 92mm x 210mm x 155mm

onsemi QFET FQT7N10LTF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,7 A 2 W, 3-Pin SOT-223

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Specifications of Infineon IGBT / 50 A 20V Max., 650 V 282 W PG-TO247-3
Category
Instock	instock

Last Updated November 28th, 2023 09:01 pm

Infineon IGBT / 50 A 20V Max., 650 V 282 W PG-TO247-3

More Varieties

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Halbleiter

Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.61 /10

Votes :- 10

onsemi NDS352AP P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 900 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

8V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

TRACOPOWER TEN 15 DC/DC-Wandler 15W 12 V dc IN, ±15V dc OUT / ±500mA 1.5kV dc isoliert

TRACOPOWER TEN 15 DC/DC-Wandler 15W 12 V dc IN, ±15V dc OUT / ±500mA 1.2mm, Länge: 50.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Stromversorgungen & Transformatoren

Spannungswandler

DC,DC-Wandler

TRACOPOWER

onsemi NDS331N N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 160 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

onsemi QFET FQT5P10TF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 2 W, 3-Pin SOT-223

onsemi QFET FQT5P10TF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 2 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

onsemi QFET FQT5P10TF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 2 W, 3-Pin SOT-223

: 1,05 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: +150 °C.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Infineon IGBT / 50 A 20V Max., 650 V 282 W PG-TO247-3

About The , 650 V 282 W PG-TO247-3, MPN: IKW50N65WR5XKSA1.Infineon IGBT / 50 A 20V max

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > IGBT

Specifications of Infineon IGBT / 50 A 20V Max., 650 V 282 W PG-TO247-3

onsemi NDS352AP P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 900 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

TRACOPOWER TEN 15 DC/DC-Wandler 15W 12 V dc IN, ±15V dc OUT / ±500mA 1.5kV dc isoliert

onsemi NDS331N N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

onsemi QFET FQT5P10TF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 2 W, 3-Pin SOT-223

onsemi QFET FQT5P10TF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 2 W, 3-Pin SOT-223