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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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Onsemi QFET FQT7N10LTF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,7 A 2 W, 3-Pin SOT-223

About The .: 350 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min

onsemi QFET FQT7N10LTF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,7 A 2 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 350 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Onsemi QFET FQT7N10LTF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,7 A 2 W, 3-Pin SOT-223

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Specifications of Onsemi QFET FQT7N10LTF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,7 A 2 W, 3-Pin SOT-223

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Onsemi QFET FQT7N10LTF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,7 A 2 W, 3-Pin SOT-223
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RS PRO Kapazitiver Schalter Tastend Öffner 5V dc / 30V dc Beleuchtet, Grün, Rot, Geh.
  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Schalter
  • Kapazitiv & Magnet- und Piezoschalter
  • Berührungssensor
  • RS PRO
    • Siemens 5SV3 RCCB, 4-polig, 40A, 30mA Typ A Sentron

    Siemens 5SV3 RCCB, 4-polig, 40A, 30mA Typ A Sentron

    Siemens 5SV3 RCCB, 4-polig, 40A, 30mA Typ A Sentron, Pausenzeit: Zeitverzögerung, Montageart: DIN-Schienen-Montage, Gesamttiefe: 89.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Sicherungen und Leitungsschutzschalter
  • Schutzschalter
  • Fehlerstrom-Schutzschalter
  • Siemens
    • Siemens 5SV3 RCCB, 4-polig, 40A, 300mA Typ A Sentron

    Siemens 5SV3 RCCB, 4-polig, 40A, 300mA Typ A Sentron

    2 x 89.8mm, Gesamtabmessungen: 71.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Sicherungen und Leitungsschutzschalter
  • Schutzschalter
  • Fehlerstrom-Schutzschalter
  • Siemens
    • onsemi NDS352AP P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 900 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
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    • TRACOPOWER TEN 15 DC/DC-Wandler 15W 12 V dc IN, ±15V dc OUT / ±500mA 1.5kV dc isoliert
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Stromversorgungen & Transformatoren
  • Spannungswandler
  • DC,DC-Wandler
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    • onsemi NDS331N N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

    onsemi NDS331N N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23

    5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 160 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi NDS331N N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,3 A 500 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: +8 V, Höhe: 0.

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    • onsemi QFET FQT5P10TF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 2 W, 3-Pin SOT-223

    onsemi QFET FQT5P10TF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 2 W, 3-Pin SOT-223

    onsemi QFET FQT5P10TF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 2 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: -30 V, +30 V, Länge: 6.: 1,05 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.

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    onsemi QFET FQT7N10LTF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,7 A 2 W, 3-Pin SOT-223

    : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi QFET FQT7N10LTF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,7 A 2 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.

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    onsemi QFET FQT5P10TF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 2 W, 3-Pin SOT-223

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi QFET FQT5P10TF P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1 A 2 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: +150 °C.5mm, Betriebstemperatur max.

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    onsemi QFET FQT7N10LTF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,7 A 2 W, 3-Pin SOT-223

    onsemi QFET FQT7N10LTF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,7 A 2 W, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.

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