Vishay SI4909DY-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6,5 A 3,2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 34 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.55mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI4909DY-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6,5 A 3,2 W, 8-Pin SOIC
Specifications of Vishay SI4909DY-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6,5 A 3,2 W, 8-Pin SOIC | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |