Vishay SI1077X-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 760 mA 236 mW, 6-Pin SC-89-6, Drain-Source-Widerstand max.: 244 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.7V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 1.7mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SI1077X-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 760 MA 236 MW, 6-Pin SC-89-6
Specifications of Vishay SI1077X-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 760 MA 236 MW, 6-Pin SC-89-6 | |
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