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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Diskrete Halbleiter

Infineon HEXFET IRF3205ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

About The : -20 V, +20 V, Länge: 10.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon HEXFET IRF3205ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.54mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Infineon HEXFET IRF3205ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

HARTING 09 02 Code-Stift für DIN 41612-Steckverbinder

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Specifications of Infineon HEXFET IRF3205ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-220AB
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Last Updated December 22nd, 2023 10:14 am

Infineon HEXFET IRF3205ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

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