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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Passive Bauelemente
Festwiderstände
SMD-Widerstände
Susumu Co

Susumu Co KRL Metallfolie SMD-Widerstand 1mΩ ±5% / 1W ±150ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

About The : -55°C, Betriebstemperatur max.: +175°C, MPN: KRL2012E-C-R001-J

Susumu Co KRL Metallfolie SMD-Widerstand 1mΩ ±5% / 1W ±150ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +175°C, MPN: KRL2012E-C-R001-J

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Susumu Co KRL Metallfolie SMD-Widerstand 1mΩ ±5% / 1W ±150ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

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Specifications of Susumu Co KRL Metallfolie SMD-Widerstand 1mΩ ±5% / 1W ±150ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

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Susumu Co KRL Metallfolie SMD-Widerstand 1mΩ ±5% / 1W ±150ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse
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Festo Regler, Serie VABF

Festo Regler, Serie VABF

Festo Regler, Serie VABF, Zubehörtyp: Reglerplatte, MPN: VABF-S4-2-R2C2-C-6E.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Pneumatik und Hydraulik
  • Pneumatikventile
  • Zubehör für Pneumatikventile
  • Festo
    • Wurth Elektronik SMD Induktivität, 2,7 nH 300mA AEC-Q200 Grade 1, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm

    Wurth Elektronik SMD Induktivität, 2,7 nH 300mA AEC-Q200 Grade 1, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm

    25mm, MPN: 7447880027.Wurth Elektronik SMD Induktivität, 2,7 nH 300mA AEC-Q200 Grade 1, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm, Tiefe: 1.

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  • Wurth Elektronik
    • TE Connectivity Micro MATE-N-LOK Steckverbindergehäuse Buchse 3mm, 10-polig / 2-reihig Gerade, Kabelmontage für

    TE Connectivity Micro MATE-N-LOK Steckverbindergehäuse Buchse 3mm, 10-polig / 2-reihig Gerade, Kabelmontage für

    TE Connectivity Micro MATE-N-LOK Steckverbindergehäuse Buchse 3mm, 10-polig / 2-reihig Gerade, Kabelmontage für, Gender: Female, Zur Verwendung mit: Softshellstift an der Mittellinie und Buchsensteckverbinder, Länge: 16mm, Breite: 11.7mm, Gehäusematerial: Nylon, MPN: 1-794617-0.

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  • Steckverbinder
  • Leiterplatten Steckverbinder & Gehäuse
  • Steckergehäuse und Stecker
  • TE Connectivity
    • onsemi THT Diode, 200V / 3A, 2-Pin DO-201AD

    onsemi THT Diode, 200V / 3A, 2-Pin DO-201AD

    3mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 200A, MPN: 1N5402G.onsemi THT Diode, 200V / 3A, 2-Pin DO-201AD, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Universal, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Durchmesser: 5.

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  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Schottky-Dioden und Gleichrichter
  • onsemi
    • ROHM SCT3105KRHRC15 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 24 A, 4-Pin TO-247-4L

    ROHM SCT3105KRHRC15 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 24 A, 4-Pin TO-247-4L

    ROHM SCT3105KRHRC15 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 24 A, 4-Pin TO-247-4L, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: SiC.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • ROHM
    • ROHM SCT3080KRHRC15 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 31 A, 4-Pin TO-247-4L

    ROHM SCT3080KRHRC15 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 31 A, 4-Pin TO-247-4L

    ROHM SCT3080KRHRC15 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 31 A, 4-Pin TO-247-4L.

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  • MOSFET
  • ROHM
    • Susumu Co KRL Metallfolie SMD-Widerstand 1mΩ ±5% / 1W ±150ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Susumu Co KRL Metallfolie SMD-Widerstand 1mΩ ±5% / 1W ±150ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : +175°C, MPN: KRL2012E-C-R001-J.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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  • Susumu Co
    • Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 550ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V

    Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 550ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V

    Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 550ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V, Datenbus-Breite: 8bit, Abmessungen: 4.98 x 1.

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    Susumu Co KRL Metallfolie SMD-Widerstand 1mΩ ±5% / 1W ±150ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : +175°C, MPN: KRL2012E-C-R001-J.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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  • Susumu Co
    • Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 550ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V

    Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 550ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V

    97mm, Breite: 3.Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 550ns Seriell (2-Draht, I2C) SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V, Datenbus-Breite: 8bit, Abmessungen: 4.

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  • Speicherbausteine
  • FRAM
  • Infineon