onsemi FQD11P06TM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,4 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 185 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 2.3mm, Länge: 6.6mm
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Onsemi FQD11P06TM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,4 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Onsemi FQD11P06TM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,4 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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