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Infineon IPD200N15N3 G IPD200N15N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 50 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The Infineon IPD200N15N3 G IPD200N15N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 50 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon IPD200N15N3 G IPD200N15N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 50 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Specifications of Infineon IPD200N15N3 G IPD200N15N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 50 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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