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Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 0,9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max

Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPD80R900P7ATMA1

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Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Specifications of Infineon 800V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 6 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

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