NSK-RHP NSK T1050-50G Spannlager, Innen-Ø 50mm, Traglast 23200N

Name: NSK-RHP NSK T1050-50G Spannlager, Innen-Ø 50mm, Traglast 23200N! NSK-RHP
Brand: NSK-RHP
SKU: CAWX-8946
Price: 71.60 EUR
Availability: InStock

About The 4mm, Dynamische Traglast: 35000N.NSK-RHP NSK T1050-50G Spannlager, Innen-Ø 50mm, Traglast 23200N, Außendurchmesser: 62

NSK-RHP NSK T1050-50G Spannlager, Innen-Ø 50mm, Traglast 23200N, Außendurchmesser: 62.4mm, Dynamische Traglast: 35000N

Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge > Lager und Dichtungen > Drehlager- und Gehäuseeinheiten > Lagereinsätze

NSK-RHP NSK T1025-25G Spannlager, Innen-Ø 25mm, Traglast 7880N

Bourns SMD Sicherung, rückstellend / 6.8A, 16V dc 1.7s 4A 20 A max.

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Specifications of NSK-RHP NSK T1050-50G Spannlager, Innen-Ø 50mm, Traglast 23200N
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Instock	instock

Last Updated December 17th, 2023 05:35 am

NSK-RHP NSK T1050-50G Spannlager, Innen-Ø 50mm, Traglast 23200N

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Drehlager- und Gehäuseeinheiten

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Littelfuse TRIAC 8A TO-220AB THT Gate Trigger 1.5V 5mA, 800V, 800V 3-Pin

: +110 °C, MPN: MAC8SNG.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Halbleiter

Diskrete Halbleiter

TRIAC Thyristortrioden

Littelfuse

Littelfuse TVS-Diode Uni-Directional Einfach 69.4V 47.8V min., 2-Pin, SMD 43V max DO-214AC (SMA)

, 2-Pin, SMD 43V max DO-214AC (SMA), Höchstzulässige Pulsverlustleistung: 400W, Impulsspitzen-Strom max.8A, ESD Schutz: Ja, Betriebstemperatur min.57 x 2.: –65 °C, Abmessungen: 4.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Infineon IPDQ60R065S7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 9 A PG-HDSOP-22

Infineon IPDQ60R065S7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor 600 V / 9 A PG-HDSOP-22, MPN: SP005559296.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Infineon IPP014N06NF2SAKMA2 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 60 V / 198 A PG-TO220-3

Infineon IPP014N06NF2SAKMA2 N-Kanal, THT MOSFET Transistor 60 V / 198 A PG-TO220-3, MPN: SP005742469.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

TE Connectivity RN73 Dünnschicht SMD-Widerstand 33.2kΩ ±0.1% / 0.1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

: -55°C, Betriebstemperatur max.1% / 0.1W ±10ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.TE Connectivity RN73 Dünnschicht SMD-Widerstand 33.

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Bourns SMD Sicherung, rückstellend / 6.8A, 16V dc 1.7s 4A 20 A max.

9mm 12.

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