onsemi NTJD4152PG P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 880 mA 350 mW, 6-Pin SOT-363, Gehäusegröße: SOT-363 (SC-88), Drain-Source-Widerstand max.: 1 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Höhe: 1mm, Länge: 2.2mm, MPN: NTJD4152PT1G
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Onsemi NTJD4152PG P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 880 MA 350 MW, 6-Pin SOT-363
Specifications of Onsemi NTJD4152PG P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 880 MA 350 MW, 6-Pin SOT-363 | |
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