Vishay E-Series SIHB053N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 47 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,054 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E-Series SIHB053N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 47 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Specifications of Vishay E-Series SIHB053N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 47 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |