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Vishay E-Series SIHB053N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 47 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 0,054 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1

Vishay E-Series SIHB053N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 47 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,054 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1

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Vishay E-Series SIHB053N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 47 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Vishay E-Series SIHB053N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 47 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Vishay E-Series SIHB053N60E-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 47 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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