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Infineon HEXFET AUIRF7103QTR N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 3 A, 8-Pin SO-8

About The Infineon HEXFET AUIRF7103QTR N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 3 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 3V, Transistor-Werkstoff: Silicon

Infineon HEXFET AUIRF7103QTR N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 3 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,13 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V, Transistor-Werkstoff: Silicon

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Infineon HEXFET AUIRF7103QTR N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 3 A, 8-Pin SO-8

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Specifications of Infineon HEXFET AUIRF7103QTR N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 3 A, 8-Pin SO-8

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    : 3V, Transistor-Werkstoff: Silicon.Infineon HEXFET AUIRF7103QTR N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 3 A, 8-Pin SO-8, Drain-Source-Widerstand max.

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