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Infineon CoolMOS IPP60R145CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220

About The Infineon CoolMOS IPP60R145CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220

Infineon CoolMOS IPP60R145CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220

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Infineon CoolMOS IPP60R145CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220

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Specifications of Infineon CoolMOS IPP60R145CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220

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Infineon CoolMOS IPP60R145CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220
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Nexperia SMD Schottky Diode Gemeinsame Anode, 40V / 200mA, 3-Pin SOT-23

Nexperia SMD Schottky Diode Gemeinsame Anode, 40V / 200mA, 3-Pin SOT-23

Nexperia SMD Schottky Diode Gemeinsame Anode, 40V / 200mA, 3-Pin SOT-23, Maximaler Spannungsabfall: 550mV, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 1A, MPN: BAT721A,215.

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  • Nexperia
    • Broadcom THT Optokoppler / Transistor-Out, 8-Pin PDIP, Isolation 3,75 kV eff

    Broadcom THT Optokoppler / Transistor-Out, 8-Pin PDIP, Isolation 3,75 kV eff

    4µs, Logik Ausgang: Ja, MPN: HCPL-7840-000E.Broadcom THT Optokoppler / Transistor-Out, 8-Pin PDIP, Isolation 3,75 kV eff, Anzahl der Kanäle: 1, Regelanstiegszeit: 3.

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    • Nexperia PBHV9050T,215 SMD, PNP Transistor –500 V / –150 mA, SOT-23 3-Pin

    Nexperia PBHV9050T,215 SMD, PNP Transistor –500 V / –150 mA, SOT-23 3-Pin

    : 100, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: -6 V, Abmessungen: 3 x 1.

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    Infineon CoolMOS IPW60R170CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 14 A, 3-Pin TO-247

    5V, Transistor-Werkstoff: Silicon.Infineon CoolMOS IPW60R170CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 14 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.

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    • Broadcom THT Optokoppler AC-In / Transistor-Out, 8-Pin DIP, Isolation 3,75 kV eff

    Broadcom THT Optokoppler AC-In / Transistor-Out, 8-Pin DIP, Isolation 3,75 kV eff

    : 10 μA, Logik Ausgang: Ja, Fallzeit typ.: 8ns, MPN: HCPL-7720-000E.Broadcom THT Optokoppler AC-In / Transistor-Out, 8-Pin DIP, Isolation 3,75 kV eff, Anzahl der Kanäle: 1, Eingangsstrom Typ: Wechselstrom, AC, Regelanstiegszeit: 9ns, Eingangsstrom max.

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    • Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 2.2μF ±10% / 10V dc, Gehäuse 0805 (2012M)

    Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 2.2μF ±10% / 10V dc, Gehäuse 0805 (2012M)

    : +125°C, Betriebstemperatur min.2μF ±10% / 10V dc, Gehäuse 0805 (2012M), Kapazität: 2.

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  • Yageo
    • Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 36kΩ ±0.5% / 0.1W ±50ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 36kΩ ±0.5% / 0.1W ±50ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.1W ±50ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.5% / 0.

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    • Infineon CoolMOS IPP60R145CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220

    Infineon CoolMOS IPP60R145CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220

    Infineon CoolMOS IPP60R145CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220.

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    • Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 36kΩ ±0.5% / 0.1W ±50ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 36kΩ ±0.5% / 0.1W ±50ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : +125°C, MPN: ERJ6RBD3602V.: -55°C, Betriebstemperatur max.Panasonic ERJ,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 36kΩ ±0.

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