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Onsemi NTMYS1D2N04CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 258 A 134 W, 8-Pin LFPAK8

About The onsemi NTMYS1D2N04CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 258 A 134 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.: 1

onsemi NTMYS1D2N04CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 258 A 134 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.: 1,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Specifications of Onsemi NTMYS1D2N04CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 258 A 134 W, 8-Pin LFPAK8

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FTDI Chip 28-Kanal USB-Transceiver, 1Mbit/s Transceiver-IC USB 2.0 Single
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    • Microchip 2kbit Serieller EEPROM-Speicher, Seriell (2-Draht) Interface, SOT-23, 900ns SMD 256 x 8 bit, 256 x 5-Pin 8bit
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    • Texas Instruments Komparator LMV761MF/NOPB, Push-Pull 1-Kanal SOT-23 6-Pin 3 V

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    6mm, CMRR typ.: +125 °C, Betriebstemperatur min.: 100dB, Betriebstemperatur max.92 x 1.

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    Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 10nF ±10% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M), MPN: CS0603KRX7R9BB103.

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    : 2V, Gate-Schwellenspannung min.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi NTMYS1D2N04CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 258 A 134 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.

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    : 2V, Gate-Schwellenspannung min.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.onsemi NTMYS1D2N04CLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 258 A 134 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.

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