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Infineon OptiMOS 5 BSZ014NE2LS5IFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 176 A, 8-Pin TDSON-8 FL

About The Infineon OptiMOS 5 BSZ014NE2LS5IFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 176 A, 8-Pin TDSON-8 FL, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00145 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon OptiMOS 5 BSZ014NE2LS5IFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 176 A, 8-Pin TDSON-8 FL, Drain-Source-Widerstand max.: 0,00145 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Werkstoff: Si

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Specifications of Infineon OptiMOS 5 BSZ014NE2LS5IFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 176 A, 8-Pin TDSON-8 FL

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Phoenix Contact MSTB 2.5/12-STZF-5.08 Steckbarer Klemmenblock Steckverbinder 12-Kontakte 5.08mm-Raster

Phoenix Contact MSTB 2.5/12-STZF-5.08 Steckbarer Klemmenblock Steckverbinder 12-Kontakte 5.08mm-Raster

08mm-Raster, Anschlussart: Schrauben, Nennstrom: 12A, Betriebsspannung: 630 V, Farbe: Grün, Material: Zinn, MPN: 1755567.

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    • Littelfuse TVS-Diode Bi-Directional 11V 5.2V min., SMD SOD882

    Littelfuse TVS-Diode Bi-Directional 11V 5.2V min., SMD SOD882

    Littelfuse TVS-Diode Bi-Directional 11V 5., SMD SOD882, MPN: SC1210-01ETG.2V min.

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    • Panasonic, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 12μF ±20% / 35V dc, Ø 5mm x 7mm, bis 105°C

    Panasonic, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 12μF ±20% / 35V dc, Ø 5mm x 7mm, bis 105°C

    : +105°C, Anschlussraster: 2mm, Lebensdauer: 1000h, Leckstrom: 3 μA, Polarisiert: Polar, Brummstrom: 120mA, Serie: FC Radial, MPN: EEAFC1V120.Panasonic, THT Aluminium-Elektrolyt Kondensator 12μF ±20% / 35V dc, Ø 5mm x 7mm, bis 105°C, Kapazität: 12µF, Spannung: 35V dc, Montageart: Radial, Durchsteckmontage, Abmessungen: 5 (Dia.

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    RS PRO Industriereinigungstücher, Weiß, 250 x 380mm, 800 Tücher pro Packung

    RS PRO Industriereinigungstücher, Weiß, 250 x 380mm, 800 Tücher pro Packung, Anwendung: Mehrzweckreinigung, Nass/Trocken: Trocken, Gebinde Typ: Rolle, Mehrmalige/Einmalige Verwendung: Einmalige Verwendung.

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    Panduit CABLE TIE, STA-STRAP, MPN: SST1.5I-C.

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    • onsemi IGBT-Modul / 73 A ±20V max.

    onsemi IGBT-Modul / 73 A ±20V max.

    6-fach, 1000 V 79 W 93x47 (Presspassung) (bleifreie und halidefreie.6-fach, 1000 V 79 W 93x47 (Presspassung) (bleifreie und halidefreie, Gehäusegröße: 93x47 (Presspassung) (bleifreie und halidefreie Presssitzstifte), Q2BOOST - PIM53, MPN: NXH300B100H4Q2F2PG onsemi IGBT-Modul / 73 A ±20V max.

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    : 2V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon OptiMOS 5 BSZ014NE2LS5IFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 176 A, 8-Pin TDSON-8 FL, Drain-Source-Widerstand max.

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