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IXYS HiperFET IXFP80N25X3 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-220

About The : 4.: +150 °C

IXYS HiperFET IXFP80N25X3 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 16 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 10.66mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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IXYS HiperFET IXFP80N25X3 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of IXYS HiperFET IXFP80N25X3 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 80 A 390 W, 3-Pin TO-220

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