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Onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOT-23 3-Pin Siliziumverbindung 1.25V

About The 04mm, Breite: 1.4 x 1

onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOT-23 3-Pin Siliziumverbindung 1.25V, Betriebstemperatur min.: -65 °C, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Länge: 3.04mm, Breite: 1.4mm, Höhe: 1.01mm, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, MPN: BAL99LT1G

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Onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOT-23 3-Pin Siliziumverbindung 1.25V

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Specifications of Onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOT-23 3-Pin Siliziumverbindung 1.25V

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TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 475Ω ±0.1% / 0.25W
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    TE Connectivity Dünnschicht SMD Festwiderstand ±1% / 6W, 2512 (6432M) Gehäuse

    TE Connectivity Dünnschicht SMD Festwiderstand ±1% / 6W, 2512 (6432M) Gehäuse, MPN: 3504G3A51R1FTDF.

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    TE Connectivity Dünnschicht SMD Festwiderstand ±1% / 6W, 2512 (6432M) Gehäuse, MPN: 3504G3A5K62FTDF.

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    • Socomec Fuserbloc Klemmenabdeckungen für Trennschalter 4-polig

    Socomec Fuserbloc Klemmenabdeckungen für Trennschalter 4-polig

    Socomec Fuserbloc Klemmenabdeckungen für Trennschalter 4-polig, MPN: 3998 4016.

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    : +155°C, Temperaturkoeffizient: ±15ppm/°C, Betriebstemperatur min.

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    onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOT-23 3-Pin Siliziumverbindung 1.25V

    01mm, MPN: BAL99LT1G.onsemi Schaltdiode Einfach 1 Element/Chip SMD SOT-23 3-Pin Siliziumverbindung 1.4mm, Höhe: 1.

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    • TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 604kΩ ±0.1% / 0.25W

    TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 604kΩ ±0.1% / 0.25W

    TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 604kΩ ±0.: +155°C, Temperaturkoeffizient: ±15ppm/°C, Betriebstemperatur min.1% / 0.25W, Betriebstemperatur max.

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