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OSRAM Opto Semiconductors

OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode IR 850nm Si, SMD Smart-DIL-Gehäuse 2-Pin

About The 7mm, Höhe über Panel: 1.: 1100nm, Fallzeit typ

OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode IR 850nm Si, SMD Smart-DIL-Gehäuse 2-Pin, Verstärkerfunktion: Nein, Wellenlänge min.: 400nm, Wellenlänge max.: 1100nm, Fallzeit typ.: 0.02µs, Länge: 4.5mm, Breite: 3.7mm, Höhe über Panel: 1.2mm, Polarität: Plus, Kurzschlussstrom: 80µA, MPN: BPW 34 S-Z

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OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode IR 850nm Si, SMD Smart-DIL-Gehäuse 2-Pin

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Specifications of OSRAM Opto Semiconductors Fotodiode IR 850nm Si, SMD Smart-DIL-Gehäuse 2-Pin

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