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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
ROHM

ROHM RSM002P03 RSM002P03T2L P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SOT-723

About The 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

ROHM RSM002P03 RSM002P03T2L P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-723, Drain-Source-Widerstand max.: 2,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 1.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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ROHM RSM002P03 RSM002P03T2L P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SOT-723

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Specifications of ROHM RSM002P03 RSM002P03T2L P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SOT-723

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Rating :- 9.59 /10
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TE Connectivity SOLISTRAND Ringkabelschuh, Unisoliert, aussen ø 10.31mm, innen ø 4.34mm, max.
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  • Ringkabelschuhe
  • TE Connectivity
    • TE Connectivity SOLISTRAND Ringkabelschuh, Unisoliert, max.

    TE Connectivity SOLISTRAND Ringkabelschuh, Unisoliert, max.

    3mm², M12, Minimale Drahtgröße mm2: 76.3mm², M12.96. 96.

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    • Phoenix Contact Datenfrontplatte Geschirmt, 2 x Cat.5e RJ45

    Phoenix Contact Datenfrontplatte Geschirmt, 2 x Cat.5e RJ45

    5e RJ45, MPN: 1404512.Phoenix Contact Datenfrontplatte Geschirmt, 2 x Cat.

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    • Eaton DILM Leistungsschütz / 24 V Spule, 3 -polig, Umkehrend

    Eaton DILM Leistungsschütz / 24 V Spule, 3 -polig, Umkehrend

    Eaton DILM Leistungsschütz / 24 V Spule, 3 -polig, Umkehrend, Leistung: 90 kW, MPN: 191718 DILMS115-22(RDC24).

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    • RS PRO Carbid Leiterplattenbohrer, Ø 0.5mm

    RS PRO Carbid Leiterplattenbohrer, Ø 0.5mm

    RS PRO Carbid Leiterplattenbohrer, Ø 0.5mm.

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  • RS PRO
    • TDK, CGA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7S, 2.2nF ±10% / 100V dc, Gehäuse 0402 (1005M)

    TDK, CGA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7S, 2.2nF ±10% / 100V dc, Gehäuse 0402 (1005M)

    : -55°C, MPN: CGA2B3X7S2A222K050BB.2nF ±10% / 100V dc, Gehäuse 0402 (1005M), Spannung: 100V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1 x 0.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Keramik Vielschichtkondensatoren
  • TDK
    • ROHM RSM002P03 RSM002P03T2L P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-723

    ROHM RSM002P03 RSM002P03T2L P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-723

    : 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: -20 V, +20 V, Länge: 1.

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    • TDK, CGA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 10nF ±10% / 35V dc, Gehäuse 0402 (1005M)
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    • ROHM RSM002P03 RSM002P03T2L P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-723

    ROHM RSM002P03 RSM002P03T2L P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SOT-723

    5V, Gate-Schwellenspannung min.3mm, Betriebstemperatur max.

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    • TDK, CGA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 10nF ±10% / 35V dc, Gehäuse 0402 (1005M)

    TDK, CGA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 10nF ±10% / 35V dc, Gehäuse 0402 (1005M)

    TDK, CGA, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator X7R, 10nF ±10% / 35V dc, Gehäuse 0402 (1005M), Spannung: 35V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Abmessungen: 1 x 0.: -55°C, MPN: CGA2B3X7R1V103K050BB.5mm, Länge: 1mm, Betriebstemperatur max.

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  • Keramik Vielschichtkondensatoren
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